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設備特點：
★配置高性能薄膜真空計和大氣壓力檢測真空計，可實時觀察ALD 工藝過程中壓強變化
★自動控制軟件，具有CDA報警以及防溫度失控硬件保護功能，保障ALD工藝安全性
★沉積材料：HfO2、ZrO2、SnO2、A1203、ZnO、TiO2等，沉積薄膜非均勻性<±2%
★提供38℃氧化鉿工藝for14nm及以下集成電路先進工藝節點TEM分析，防止電子束對低溫光刻膠的損傷和變形，氧化鉿鍍膜3nm工藝時間＜15min
設備參數：
★真空腔室：4英寸樣品沉積反應腔，樣品溫度可加熱到150℃，溫度控制精度±0.5℃
★前驅體源：配置3路前驅體源：2路加熱金屬前驅體源和1路常溫水前驅體源
★抽速：配置高性能雙極旋片真空泵，抽速不小于65m3/h
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