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設備特點：
★兼容直流和射頻濺射源，濺射金屬、非金屬及化合物薄膜
★良好的薄膜均勻性和重復性，可沉積金屬、半導體和絕緣材料，可拓展沉積多層膜及復合膜
★3個3英寸圓形靶槍，桿狀安裝，共焦向上濺射
設備參數：
★腔體尺寸（L×W×Hmm)：850×1100×1900
★設備尺寸（L×W×Hmm)：400×400×380
★基片臺：最高溫度 600℃控溫誤差±5℃
★真空極限：（5E﹣05）Pa
★抽速保壓：（8E﹣04）Pa≤30min保壓12小時≤8pa
★托盤均勻性優于±3％~±5%
★濺射靶槍三個（2-3英寸）濺射尺寸2-4英寸
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